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技術文章

功率MOS場效應管的雪崩電流

      
 
      雪崩電流在功率MOS管的數據表中表示為IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗過壓沖擊的能力。在調試過程中,選取一定的電感值,然后將電流增大,也就是功率MOS管開通的時間增加,然后關斷,直到功率MOSFET損壞,對應的*大電流值就是*大的雪崩電流。
      標稱的IAV通常要將前面的調試值做70%或80%降額處理,所以它是一個可以保證的參數。一些功率MOS管供應商會對這個參數在生產線上做100%全部檢測,由于有降額,所以不會損壞器件。
      留意:測量雪崩能量時,功率MOS管運作在UIS非鉗位開關狀態下,所以功率MOSFET不是運作在放大區,而是運作在可變電阻區和截止區。所以*大的雪崩電流IAV通常小于*大的連續的漏極電流值ID。
      采用的電感值越大,雪崩電流值越小,但雪崩能量越大,生產線上需要調試時間越長,生產率越低。電感值太小,雪崩能量越小。目前低壓的功率MOS管通常取0.1mH,此時,雪崩電流相對于*大的連續的漏極電流值ID有明顯的改變,而且調試時間比較合適范圍。

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